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IRF6610

更新时间:2024-04-18 03:14:49
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  • 大小:243.15KB
  • 厂家:IRF [International Rectifier]
  • 描述:HEXFET Power MOSFET Silicon Technology with the advanced DirectFETTM
  • 标准包装:4,800
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:15A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:6.8 毫欧 @ 15A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):2.55V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:17nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:1520pF @ 10V
  • 功率 - 最大:2.2W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:DirectFET? 等容 SQ
  • 供应商设备封装:DIRECTFET? SQ
  • 包装:带卷 (TR)
IRF6610 相关信息
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