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IRF6633

更新时间:2024-03-29 06:57:06
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  • 大小:266.71KB
  • 厂家:IRF [International Rectifier]
  • 描述:DirectFET Power MOSFET
  • 典型关断延迟时间:12 ns
  • 典型接通延迟时间:9.7 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs:11 nC V @ 4.5
  • 典型输入电容值@Vds:1250 pF V @ 10
  • 安装类型:表面贴装
  • 宽度:5.05mm
  • 封装类型:DirectFET MP
  • 尺寸:5.45 x 5.05 x 0.6mm
  • 引脚数目:7
  • 最低工作温度:-40 °C
  • 最大功率耗散:2300 mW
  • 最大栅源电压:±20 V
  • 最大漏源电压:20 V
  • 最大漏源电阻值:0.006
  • 最大连续漏极电流:16 A
  • 最高工作温度:+150 °C
  • 每片芯片元件数目:1
  • 类别:功率 MOSFET
  • 通道模式:增强
  • 通道类型:N
  • 配置:双源、四漏极、单
  • 长度:5.45mm
  • 高度:0.6mm
IRF6633 相关信息
  • IR推出用于DC-DC降压转换的MOSFET芯片组
    ...组。新产品适用于下一代采用Intel和AMD处理器的高端台式电脑和服务器,以及先进的电信和数据通信系统等高频率、大电流的DC-DC转换器应用。例如,电流为130A的五相转换器如果采用最新的IRF6619 和IRF6633芯片组,可在一个紧凑的面积上实现85%的效率。 IR中国及香港销售总监严国富指出:“IRF6619和IRF6633芯片组能在处理器电源系统的每相位中取代四个标准的D-Pak MOSFET,可以减少一半的元...
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