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IRF7306TR

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  • 描述:MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
  • 标准包装:4,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:2 个 P 沟道(双)
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:100 毫欧 @ 1.8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:25nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:440pF @ 25V
  • 功率 - 最大:2W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装:8-SO
  • 包装:带卷 (TR)
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