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IRF7309QTRPBF

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IRF7309QTRPBF外观图

  • 标准包装:1
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:N 和 P 沟道
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:4A,3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:50 毫欧 @ 2.4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:25nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:520pF @ 15V
  • 功率 - 最大:1.4W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装:8-SO
  • 包装:Digi-Reel?
  • 其它名称:IRF7309QTRPBFDKR
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