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IRF7811W

更新时间:2024-04-25 18:14:29
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  • 大小:146.99KB
  • 厂家:IRF [International Rectifier]
  • 描述:Power MOSFET for DC-DC Converters
  • 标准包装:95
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单路
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:12 毫欧 @ 15A, 4.5V
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:14A
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:33nC @ 5V
  • 在 Vds 时的输入电容(Ciss):2335pF @ 16V
  • 功率 - 最大:3.1W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC (0.154", 3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装:8-SO
  • 包装:管件
  • 其它名称:*IRF7811W Q1057779
IRF7811W 相关信息
  • IR推出HEXFET功率MOSFET
    国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出两款新型HEXFET功率MOSFET:IRF7811W及IRF7822,将降压式及隔离式直流-直流拓扑结构的效率提高了3%。 IR先进的技术手段 (Technology Toolbox),可为特定应用选择最佳的制造工艺,因此可提供多种业界领先的解决方案,应付当前的各种挑战。这些专用MOSFET采用新型带状沟槽工艺,IR早些时候曾推出基准平面器件。 IR全球销售高级副总...
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