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IRF9530

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IRF9530 相关资料
  • 其它信息:

    12.0A/100V

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  • 大小:378.27KB
  • 厂家:SAMSUNG [ Samsung semiconductor ]
  • 描述:P-CHANNEL POWER MOSFETS
  • 标准包装:1,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:12A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:300 毫欧 @ 7.2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:38nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:860pF @ 25V
  • 功率 - 最大:88W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商设备封装:TO-220AB
  • 包装:管件
  • 其它名称:*IRF9530
IRF9530 相关信息
  • 探究电压较高的电源获取较低直流电压的方法
    ...一个稳定的5VDC源,但是变压器向全波桥式整流器供应18Vrms。在充电阶段,两个等值电解电容器C1和C2在通过正向偏置二极管D1和D2串联时,会接收充电电流。一个增强型P沟道MOSFET晶体管Q1,型号为 IRF9530,其栅极接收了由于齐纳二极管D4的正向电压降因而略微为正值的反向栅极偏置电压,因此保持断开。每个电容器均充到大约为整流电压峰值的一半与D1和D2带来的正向电压降之间的差值。全波桥...
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