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IRFD9210

更新时间:2024-04-19 11:28:19

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深圳市创芯联盈电子有限公司
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深圳晨欣芯讯电子科技有限公司
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专注电子元件十年，只做原装现货

深圳市福田区汇融电子经营部
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汇融科技/价格给力/实单必成

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专注电子元件十年，只做原装现货

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深圳硅原半导体有限公司
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深圳市百视威讯电子科技有限公
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深圳市锦泰世纪电子有限公司
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深圳市华美锐电子有限公司
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深圳市晶美隆科技有限公司
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深圳市莱多米科技电子有限公司展会宣传
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IRFD9210 相关资料

其它信息：

0.4A/200V

IRFD9210的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

IRFD9210外观图

数据列表：IRFD9210
标准包装：2,500
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 单
系列：-
FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
漏极至源极电压(Vdss)：200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：400mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：3 欧姆 @ 240mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：8.9nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：170pF @ 25V
功率 - 最大：1W
安装类型：通孔
封装/外壳：4-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商设备封装：4-DIP，Hexdip，HVMDIP
包装：管件
其它名称：*IRFD9210

IRFD9210 相关信息

利用“软启动电路”消除开关电源浪涌电流

...意事项 (1)软启动电路的增加是有代价的。从整体来讲，这种电路可看作是电源的一部分，它要消耗功率，使电源的效率降低。大部分功率损失是由于输出传递场效应管Q2的导通电阻不为零所造成的。这种IRFD9210的导通电阻为0．6 Ω。在500 mA输出电流时，Q2将消耗300 mW功率。如果不允许这样大的损耗时，可以采用导通电阻更小的FET(但往往价格很高)。 (2)因为开关电源电压的感测是取自场效应管Q2...

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