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IRFH7932TRPBF

更新时间:2024-03-29 04:47:40
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  • 大小:272.5KB
  • 厂家:International Rectifier
  • 描述: MOSFET, N, PQFN; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:25A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):3.3mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PQFN; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:25A; Package / Case:PQFN; Power Dissipation Pd:3.4W; Pulse Current Idm:200A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2.35V
  • 标准包装:4,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:24A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:3.3 毫欧 @ 25A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):2.35V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:51nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:4270pF @ 15V
  • 功率 - 最大:3.1W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-PowerVDFN
  • 供应商设备封装:PQFN(5x6)单芯片焊盘
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:IRFH7932TRPBFTR
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