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IRLR8503

更新时间:2024-04-25 20:57:37
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IRLR8503外观图

  • 标准包装:75
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:44A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:16 毫欧 @ 15A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:1650pF @ 25V
  • 功率 - 最大:62W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装:D-Pak
  • 包装:管件
  • 其它名称:*IRLR8503
IRLR8503 相关信息
  • IR推出崭新MOSFET芯片组 _硬件_科技时代_新浪网
    国际整流器公司(InternationalRectifier,简称IR)推出两款崭新的MOSFET芯片组,它们经过特别优化,可用于1MHz以上多路直流-直流变流器。两项新品包括IRLR8503驱动场效应管(FET)及IRLR8103同步场效应管,均可用于单路或多路同步补偿电路。 这些新器件能支持高功率应用系统,瞬变反应速度极高,且体积纤巧,特别适用于1GHzIntelPentiumIII或AMDAthlon中央处理器的高效电源。目前,亚洲有很多...
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