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IXBH5N160G

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IXBH5N160G外观图

  • 标准包装:30
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:IGBT - 单路
  • 系列:BIMOSFET™
  • IGBT 类型:-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开):7.2V @ 15V,3A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):5.7A
  • 功率 - 最大:68W
  • 输入类型:标准型
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-247-3
  • 供应商设备封装:TO-247AD
  • 包装:管件
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