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IXFM75N10

更新时间:2024-04-06 18:22:11
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IXFM75N10 相关资料

  • 其它信息：

    75.0A/100V

IXFM75N10的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准
  • 制造商：IXYS
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：100 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：75 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.02 Ohms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-204AE
  • 封装：Tube
  • 下降时间：60 ns
  • 正向跨导 gFS（最大值/最小值）：30 s
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：300 W
  • 上升时间：60 ns
  • 工厂包装数量：20
  • 典型关闭延迟时间：80 ns
IXFM75N10 相关信息
  • 一种大功率直流固态电子开关（图）
    ...最终在C5上得到15V左右悬浮于MOS管G、S极之间的直流电压，经过R6驱动功率MOS管导通，最终实现小信号对大功率直流信号的控制。V4为齐纳二极管，用于MOS管D、S极之间过压保护。功率MOS管用IXYS公司IXFM75N10，参数为100V，75A，0.02Ω。TO-204AA封装。 4结语 该功率电子开关已成功用于某军用设备直流配电系统中，并已进行了小批量生产，实践证明其质量稳定、性能可靠。本电路可进行适当改进...
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