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| 型号 | 简要描述 | 文件大小 | 厂家 | 下载 |
| SI4490DY-T1-E3 | N CHANNEL MOSFET, 200V, 4A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):800mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V ;RoHS Compliant: Yes | 77.4K | Vishay |  |
| SI4490DY-T1-E3 | MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC | 161K | |