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HY27US08121M 价格参考、全国供应商、PDF

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    • 大小：735.21 KB
      厂家：HYNIX [Hynix Semiconductor]
      内容：512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash

    HY27US08121M 相关资料

    • 其它信息：
      高密度NAND Flash存储器：符合大容量存储应用； NAND接口：×8总线宽度,多路复用地址/数据总线引脚兼容； 电源电压：3.3V设备VCC＝2.7～3.61/； 存储器单元阵列：528字节×32页×4096块； 页面大小：(512＋16备用的)字节； 时钟大小：(16K＋512备用的)字节； 页面读/编程：随机存取：12μs(最大值),顺序存取：50ns(最小值),页编程时间： 200μs(典型值)； 复制回编程模式：不受外界缓冲的快速页面复制； 高速缓存编程模式：改善编程吞吐量的内部高速缓存； 快速块擦除：块擦除时间：2ms(典型值)； 硬件数据保护：在电源转换过程中编程/擦除被锁定；数据的完整性：100000次编程/擦除周期,lO年的数据保留时间；封装：48引脚的TSOP和WSOP封装,63引脚的FBGA封装
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