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K9F5608U0C 价格参考、全国供应商、PDF

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    • 历史最低报价：￥18.00 历史最高报价：￥50.00 历史平均报价：￥33.60

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    型号 厂家 封装 批号 数量 日期 价格

    • K9F5608U0C

      SAMSUNG TSOP 10+ 21000 2011-04-29 报价：18.00

    • K9F5608U0C

      SAMSUNG 05+ TSSOP-48 725 2011-04-25 报价：40.00

    • K9F5608U0C

      SAMSUNG TSSOP-48 -- 725 2011-04-23 报价：30.00

    • K9F5608U0C

      -- TSOP 210 现货库存 2011-04-23 报价：50.00

    • K9F5608U0C

      SAMSUNG SOP 05+ 2000 2011-04-22 报价：30.00

    • K9F5608U0C-FIB0

      SAMSUNG 12+PB+ TSOP 10 2013-04-22 报价：260.00

    • K9F5608U0C-PIB0

      SAMSUN TSOP 09+ 10K 2010-10-07 报价：12.00

    • K9F5608U0C-YCB0

      SAMSUNG TSOP48 10+ 1000 2011-05-20 报价：15.60

    • K9F5608U0C-YCB0

      SAMSUNG+ TSOP/48 0416+ 63 2011-05-20 报价：11.00

    • K9F5608U0C-YCB0

      SAMSUNG TSOP 0440 8 2011-05-20 报价：15.00

    • K9F5608U0C-YCB0

      SAMSUNG TSOP 2005 1459 2011-05-20 报价：18.00

    • K9F5608U0C-YIB0

      SAMSUNG TSOP -- 10000 2010-09-29 报价：14.30
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    • 大小：655.94 KB
      厂家：SAMSUNG [Samsung semiconductor]
      内容：32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory

    K9F5608U0C 相关资料

    • 其它信息：
      电源电压：3.3V设备VCC＝2.7～3.6V； 结构：存储器单元阵列：(32M＋1024K)×8位,数据存储器：(512＋16)×8位；自动编程和擦除：页编程：(512＋16)字节,块擦除：(16K＋512)字节； 页读操作：页大小：(512＋16)字节,随机存取：10μs(最大值),串行访问：60ns(最小值)； 快速写周期时间：编程时间：200μS(典型值),块擦除时间：2ms(典型值)；指令/地址/数据复用I/O端口； 硬件数据保护：在电源转换过程中编程/擦除锁定； 可靠的CMOS准浮栅技术,100k次编程/擦除周期,10年的数据保留时间； 指令存储器操作； 上电自读操作； 安全锁机制； 封装：48引脚的TSOP和WSOP封装,63引脚的TBGA封装
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