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K9W8G08U1M-PCB0 价格参考、全国供应商、PDF

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    型号 厂家 封装 批号 数量 日期 价格

    • K9W8G08U1M-PCB0

      SAMSUNG -- 06+ 1276 2012-10-23 报价:100.00
    • K9W8G08U1M-PCB0

      SAMSUNG TSOP 07+ -- 2008-04-23 报价:155.00
    • K9W8G08U1M-PCB0

      SAMSUNG -- 05+ -- 2007-05-14 报价:170.00
    • K9W8G08U1M-PCB0

      SAMSUNG -- 06+ -- 2007-05-14 报价:150.00
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      SAMSUNG TSOP 06+ -- 2007-05-14 报价:335.00
    • K9W8G08U1M-PCB0

      SAMSUNG 8G 06+ -- 2007-04-17 报价:285.00
    • K9W8G08U1M-PCB0

      SAMSUNG -- 06+ -- 2007-04-17 报价:205.00
    • K9W8G08U1M-PCB0

      -- TSOPP48 05+ -- 2006-11-13 报价:230.00
    • K9W8G08U1M-PCB0

      SAM -- -- -- 2006-08-21 报价:790.60
    • K9W8G08U1M-PCB0

      SAM -- -- -- 2006-08-15 报价:319.50
    • K9W8G08U1M-PCB0

      -- -- 5 -- 2006-08-10 报价:215.00
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      SAMSUNG -- 05+ -- 2006-07-20 报价:270.00
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      SAM -- -- -- 2006-07-20 报价:318.00
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      SAM -- 05+ -- 2006-06-19 报价:339.00
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      SAMSUNG -- 05+ -- 2006-06-19 报价:280.00
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      SAMSUNG -- 5 -- 2006-05-11 报价:245.00
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      SAMSUNG -- 5 -- 2006-04-25 报价:250.00
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    • 其它信息:
      电源电压:Vcc=2.7~3.6V; 结构:存储器单元阵列:(512M+16384K)×8位,数据存储器:(2K+64)×8位,缓存存储器:(2K+M)×8位; 自动编程和擦除:页编程:(2K+64)字节,块擦除:(128K+4K)字节; 页读操作:页大小:2KB,随机存取:25μs(最大值),串行访问:30ns(最小值); 快速写周期时间:编程时间:300μs(典型值),块擦除时间:2ms(典型值);指令/地址/数据复用I/O端口; 硬件数据保护:在电源转换过程中编程/擦除锁定; 可靠的CMOS准浮栅技术,100k次编程/擦除周期,10年的数据保留 时间; 指令存储器操作;上电自读操作; 封装:48引脚的TSOP封装;工作温度:-10~+125℃
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