IRF7822TR IRF7822PBF IRF7822A IRF7822 IRF7821UTRPBF IRF7821UPBF IRF7821TRPBF. IRF7821TRPBF IRF7821TR IRF7821PBFIRF7823
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参数信息:
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类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:HEXFET®
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:6.5 毫欧 @ 15A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A
Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA

