NTD30N02 NTD3055L170T4G NTD3055L170T4 NTD3055L170G NTD3055L170-1G NTD3055L170 NTD3055L104T4G NTD3055L104T4 NTD3055L104G NTD3055L104-1GNTJS3151PT1G
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参数信息:
参数信息:
源漏极间雪崩电压VBR(V):20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):50
最大漏极电流Id(on)(A):6
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):SOT-223/-55 ~150
描述:-20 V, -6.0A功率MOSFET

