BC856BLT1 BC856BLT BC856BGS08 BC856BE6433 BC856BE-6327 BC856BE6327 BC856BDW1T3G BC856BDW1T3 BC856BDW1T1G BC856BDW1T1BC856BLT3
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参数信息:
参数信息:
类型:PNP
集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):65
集电极最大电流Ic(max)(mA):100
直流电流增益hFE最小值(dB):220
直流电流增益hFE最大值(dB):475
最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):100
封装/温度(℃):SOT-23/-55~150
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厂家:ONSEMI [ON Semiconductor] General Purpose Transistors

