BC858AE6327 BC858A/3J BC858A BC858/Y BC858/3M BC858/3F BC858 BC857W-B-RTK BC857W115 BC857W,115BC858ALT1G
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参数信息:
参数信息:
类型:PNP
集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):30
集电极最大电流Ic(max)(mA):100
直流电流增益hFE最小值(dB):125
直流电流增益hFE最大值(dB):250
最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):100
封装/温度(℃):SOT23,(TO236AB)/-55~150
BC858ALT1历史价格
(最低报价:¥0.09最高报价:¥0.65平均报价:¥0.30)
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厂家:ONSEMI [ON Semiconductor] General Purpose Transistors

