BCW70LT1G
参数信息:
参数信息:
类别:分离式半导体产品
家庭:晶体管(BJT) - 单路
系列:-
晶体管类型:PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):45V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 500µA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):215 @ 2mA, 5V
BCW70LT1G历史价格
(最低报价:¥0.10最高报价:¥0.15平均报价:¥0.12)
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厂家:ONSEMI General Purpose Transistor

