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BUT11A

更新时间:2024-04-24 10:27:39
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BUT11A 相关资料

  • 其它信息：

    电流参数：IC=5A/ICP=10A/IB=2A
    电压参数：UCBO=1000V/UCEO=450V/UEBO=9V
    功  率：PC=100W
    极  性:NPN

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BUT11A外观图

  • 大小：162.85KB
  • 厂家：ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
  • 描述：isc Silicon NPN Power Transistor
  • 标准包装：200
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路
  • 系列：-
  • 晶体管类型：NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：5A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：450V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：1.5V @ 500mA，2.5A
  • 电流 - 集电极截止（最大）：1mA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：-
  • 功率 - 最大：100W
  • 频率 - 转换：-
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3
  • 供应商设备封装：TO-220
  • 包装：散装
  • 其它名称：BUT11A-NDBUT11AFS
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    ...000 5 100 BU208D 1500 5 12.5 BUW12AF 1000 8 125 BU209A 1500 5 12.5 BUW13AF 1000 15 175 BU308 1500 5 12.5 BUW14AF 1000 20 175 BU500 1500 6 75 BUW48AF 1000 60 150 BU508A 1500 7.5 75 BUT11A 1000 5 100 BUY71 2200 2 40 BUS12A 1000 8 125 BU2506AF 1500 3.5 50 BUS13A 1000 15 175 BU2506DF 1500 3.5 50 BUS14A 1000 30 250 BU2507AF 1500 6 45 BUX48A 1000 7 175 BU2507DF 15...
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