MJD42CT4G
参数信息:
参数信息:
类型:PNP
集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):100
集电极最大电流IC(Max)(A):6
直流电流增益hFE最小值(dB):15
直流电流增益hFE最大值(dB):75
最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):3
总功耗PD(W):20
封装/温度(℃):3DPAK/-65~150
类型:PNP
集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):100
集电极最大电流IC(Max)(A):6
直流电流增益hFE最小值(dB):15
直流电流增益hFE最大值(dB):75
最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):3
总功耗PD(W):20
封装/温度(℃):3DPAK/-65~150
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