NTD32N06T4 NTD32N06LT4G NTD32N06LT4 NTD32N06LG NTD32N06L-1G NTD32N06L-1 NTD32N06L-001 NTD32N06L NTD32N06G NTD32N06-1GNTD3808NT4G
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参数信息:
参数信息:
源漏极间雪崩电压VBR(V):60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):26
最大漏极电流Id(on)(A):32
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):DPAK 4/-55 ~150
描述:32 A, 60 V功率MOSFET

