NTD3055L170T4G NTD3055L170T4 NTD3055L170G NTD3055L170-1G NTD3055L170 NTD3055L104T4G NTD3055L104T4 NTD3055L104G NTD3055L104-1G NTD3055L104-1NTJS3151PT1G
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参数信息:
参数信息:
源漏极间雪崩电压VBR(V):20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):45
最大漏极电流Id(on)(A):5.100
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TSOP-6/-55 ~150
描述:5.1A, 20 V功率MOSFET

