NTD3055-150T4G NTD3055-150T4 NTD3055-150G NTD3055-150-1G NTD3055-150-1 NTD3055-150 NTD3055-094T4G NTD3055-094T4 NTD3055-094G NTD3055-094-1GNTJS3151PT1G
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参数信息:
参数信息:
源漏极间雪崩电压VBR(V):20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):155
最大漏极电流Id(on)(A):3
通道极性:P
封装/温度(℃):ChipFET/-55~150
描述:20V,3A,P沟道双MOSFET
NTHD4401PT1G历史价格
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厂家:ONSEMI [ON Semiconductor] Power MOSFET −20 V, −3.0 A, Dual P−Channel, ChipFET

