NTD3055-094T4 NTD3055-094G NTD3055-094-1G NTD3055-094 NTD2955V NTD2955T4G NTD2955T4 NTD2955G NTD2955E NTD2955DNTJS3151PT1G
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参数信息:
参数信息:
源漏极间雪崩电压VBR(V):8
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):25
最大漏极电流Id(on)(A):7.500
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):ChipFET/-55~150
描述:-8 V, -7.5 A功率MOSFET
NTHS2101PT1G历史价格
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厂家:ONSEMI [ON Semiconductor] −8.0 V, −7.5 A P−Channel ChipFET

