SST25VF080B SST25VF080A-33-4I-S2A SST25VF080A-33-4E-S2A SST25VF080-33-4I-SAE SST25VF080-33-4E-SAE SST25VF080-33-4C-SAE SST25VF080-20-4I-S2AE SST25VF080-20-4I-S2A SST25VF080-20-4C-S2AE SST25VF080SST25VF080B-50-4C-S
您是否在找:制造商::Microchip
RoHS::详细信息
存储类型::SPIFlash
存储容量::8Mbit
结构::Sectored
接口类型::4-Wire
电源电压(最大值)::3.6V
电源电压(最小值)::2.7V
最大工作电流::15mA
SST25VF080B-50-4C-QAF历史价格
(最低报价:¥7.10最高报价:¥11.50平均报价:¥8.60)
SST25VF080B-50-4C-QAF 相关资料
读、写操作电压2.7~3.6V;串行接口结构:SPI兼容模式0和模式3;高时钟频率:50MHz;高可靠性,保证100000次读/写(典型值),数据保持超过100年; 超低功耗,动态读出电流:10mA(典型值),待机电流:5μA(典型值);灵活的擦除功能,均匀的4KB扇区,均匀的32KB叠加块,均匀的64KB叠加块; 快速擦除操作和字节编程时间,芯片擦除时间:35ms(典型值),扇区/块擦除时间:18ms(典型值),字节编程时间:7μs(典型值); 自动地址增加(AAI)程序:字节编程操作减少整个芯片的编程时间; 写操作完成监测:软件方法在状态寄存器中查询BUSY位,在SO引脚读出忙碌状态;保持引脚(HOLD#):在没有取消选择1个装置时挂起一个串行的序列;写保护(WP#):在状态寄存器中允许/失效锁操作方法;软件写保护:在状态寄存器中通过块保护位写保护;温度范围:0~+70℃(商用级C),-40~+85℃(工业级I);所有无铅装置遵从RoHS标准;温度范围:0~+70℃(商用级C)
引脚图:
SST25VF080B-50-4C-QAF引脚图
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