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组织结构为1M×16； 读、写操作电压2.7～3.6V； 高可靠性，保证100000次读/写，数据保持100年； 低功耗操作，动态电流：9mA(典型值)，待机电流：3μA(典型值)，自动低功耗模式：3μA(典型值)；128位唯一ID；ID安全特点：一次性可编程，256字； 硬件启动块保护输入WP＃引脚，顶部块保护(顶部32K字)； 扇区擦除操作功能：均匀的2K字扇区；块擦除操作功能：均匀的32K字块；芯片擦除操作功能；擦除操作有暂停/恢复功能 硬件复位引脚(RST＃)；ID安全特性：SST：128位，用户：128位； 快速读取时间：70ns或90ns； 锁存地址和数据； 快速擦除操作时间，扇区擦除操作时间：18ms(典型值)，块擦除操作时间：18ms(典型值)，芯片擦除操作时间：40ms(典型值)； 字编程时间：7μs(典型值)；自动调节写操作时间； 写操作完成监测：Toggle位，Data＃轮询，RY/BY＃输出；兼容CMOS I/O；符合JEDEC标准；所有无铅装置遵从RoHS标准；读取时间：70ns； 温度范围：0～＋70℃(商用级C)
引脚图：
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厂家：SST [Silicon Storage Technology, Inc] 16 Mbit / 32 Mbit / 64 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash Plus
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