24LC018 24LC014T-I/ST 24LC014T-I/SN 24LC014T-I/OT 24LC014T-I/MS 24LC014T-I/MNY 24LC014T-I/MC 24LC014T-E/MS 24LC014T-E/MNY 24LC014-I/ST24LC01B.i/sn
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单电源操作时电压,1.8V;低功率CMOS工艺:典型动态工作电流:1mA,典型待机电流:1μA(-40~+85℃); 1个128字节(1×128×8)块组成;2线串行接口总线,I2CTM兼容;施密特触发器抑制噪声;输出斜率控制以避免地弹;兼容400kHz;自定时写周期(包括自动擦除);页写入缓冲区达到8个字节;典型页写入周期:2ms;对所有的存储器硬件写保护; 可以用作一个串行的ROM工作;可用的工厂模式编程(QTP);ESD静电保护>4000V;1000000次的擦/写操作;数据保留>200年;标准和无铅的镀层;可用温度范围:-40~+85℃/-40~+125℃;VCC范围:2.5~5.5V;最大时钟频率:400kHz
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