FQD19N10TF FQD19N10LTM FQD19N10LTF FQD19N10L FQD19N10 FQD18N20VS FQD18N20V2TM FQD18N20V2TF FQD18N20V2 FQD17P06TM-NLFQD19N20
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参数信息:
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类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:QFET™
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:100 毫欧 @ 7.8A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:15.6A
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA

