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高密度NAND Flash存储器:符合大容量存储应用;NAND接口:×8总线宽度,多路复用地址/数据总线引脚兼容; 电源电压:3.3V设备Vcc=2.7~3.6V; 存储器单元阵列:(2K+64)字节×64页×1024块,(1K+32)字×64页×1024块; 页面大小:(2K+64备用的)字节;时钟大小:(128K+4K各用的)字节; 页面读/编程:随机存取:27μs(最大值),顺序存取:60ns(最小值),页编程时间:300μs(典型值); 复制回编程模式:不受外界缓冲的快速页面复制;高速缓存编程模式:改善编程吞吐量的内部高速缓存; 快速块擦除:块擦除时间:2ms(典型值); 电子特性:制造商代码,设备代码;芯片使能随意选项:具有微控制器的简单接口; 硬件数据保护:在电源转换过程中编程/擦除被锁定;数据的完整性:100000次编程/擦除周期,10年的数据保留;封装:48引脚的TSOP和WSOP封装,63引脚的FBGA封装;工作温度:0~70℃
引脚图:
HY27UF081G2M-TCB引脚图
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厂家:HYNIX [Hynix Semiconductor] 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory

