2N7000
参数信息:
参数信息:
类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:-
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:5 欧姆 @ 500mA, 10V
漏极至源极电压(Vdss):60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:200mA
Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 1mA
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厂家:MOTOROLA [Motorola, Inc] CASE 29-04, STYLE 22 TO-92 (TO-226AA)
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