IRFB31N20D IRFB31N20 IRFB3077PBF IRFB3077 IRFB3006PBF IRFB3004PBF IRFB260NPBF IRFB260N IRFB260 IRFB24N20DIRFB3206
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参数信息:
参数信息:
类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:HEXFET®
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:82 毫欧 @ 18A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:31A
Id 时的 Vgs(th)(最大):5.5V @ 250µA
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厂家:IRF [International Rectifier] HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on)max = 0.082ヘ , ID = 31A )

