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电源电压:VCC=2.7~3.6V;结构:存储 器单元阵列:(16M+512K)×8位,数据存储器:(512+16)×8位;自动编程和 擦除:页编程:(512+16)字节,块擦除:(16K+512)字节;528字节页读操作 :随机存取:10μs(最大值),串行页访问: 50ns(最小值);快速写周期时间:编程时间:200μs(典型值),块擦除时间:2ms(典型值);指令/地 址/数据复用I/O端口;硬件数据保护:在电源转换过程中编程/擦除锁定;可靠的CMOS准浮栅技术,100k次编程/擦除周期,10年的数据保留时间;指 令存储器操作;上电自动读操作;封装:48引脚的TSOP和WSOP封装,63引脚 的TBGA封装;工作温度:-10~+125℃
引脚图:
K9F2808UOB-DCBO引脚图
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