MBT3904DW1T1/MA MBT3904DW1T1 MBT3904DW1F1 MBT3904DW1 MBT3904DW MBT3904 MBT35200MT2G MBT35200MT1G MBT35200MT1/G4 MBT35200MT1MBT3904DW1T3
您是否在找:产品变化通告:EDSRatingUpdateStandardizedFormat15/June/2007WireChange08/Jun/2009
标准包装:10
类别:分离式半导体产品
家庭:晶体管(BJT)-阵列
系列:-
晶体管类型:2NPN(双)
电流-集电极(Ic)(最大):200mA
电压-集电极发射极击穿(最大):40V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV@5mA,50mA
MBT3904DW1T1G PDF下载
- 大小:115.56KB
厂家:ONSEMI [ON Semiconductor] Dual General Purpose Transistors
- MBT3904DW1T1G
MBT3904DW1T1G
MBT3904DW1T1G ON SOT363 专营原厂原包装无铅现货。
www.follett168.com



