MJD122-TR MJD122TF MJD122T4G MJD122-T4 MJD122T4 MJD122G MJD122-1 MJD122 MJD117-TR MJD117TFMJD127-1
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参数信息:
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制造商: ON Semiconductor
产品种类: 达林顿晶体管
配置: Single
晶体管极性: PNP
封装 / 箱体: TO-252-3 (DPAK)
集电极—发射极最大电压 VCEO: 100 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
集电极—基极电压 VCBO: 100 V
峰值直流集电极电流: 8 A
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其它信息:
电流参数:IC=8A/IB=0.12A
电压参数:UCEO=100V/UCB=100V/UEB=5V
功 率:PD=20W
极 性:PNP
MJD127的技术参数产品型号:MJD127类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):100集电极最大电流IC(Max)(A):8直流电流增益hF..
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厂家:ONSEMI [ON Semiconductor] Complementary Darlington Power Transistors

