MJE5852G
参数信息:
参数信息:
类别:分离式半导体产品
家庭:晶体管(BJT) - 单路
系列:SWITCHMODE™
晶体管类型:PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大):8A
电压 - 集电极发射极击穿(最大):400V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):5V @ 3A, 8A
电流 - 集电极截止(最大):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):5 @ 5A, 5V
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厂家:ONSEMI ON Semiconductor [8 AMPERE PCP SILICON POWER TRANSISTORS 300 - 350 - 400 VOLTS 80 WATTS]

