NTD3055L104T4G NTD3055L104T4 NTD3055L104G NTD3055L104-1G NTD3055L104-1 NTD3055L104-001 NTD3055L104001 NTD3055L104 NTD3055L NTD3055ELNTD3055L170-001
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参数信息:
参数信息:
源漏极间雪崩电压VBR(V):60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):170
最大漏极电流Id(on)(A):9
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):DPAK/-55~175
描述:9A,60V逻辑电平的功率MOSFET
NTD3055L170历史价格
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厂家:ON SEMICONDUCTOR Power MOSFET 9.0 Amps, 60 Volts, Logic Level N-Channel DPAK

