NTD3055L170T4G NTD3055L170T4 NTD3055L170G NTD3055L170-1G NTD3055L170 NTD3055L104T4G NTD3055L104T4 NTD3055L104G NTD3055L104-1G NTD3055L104-1NTJS3151PT1G
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参数信息:
参数信息:
源漏极间雪崩电压VBR(V):20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):65
最大漏极电流Id(on)(A):-
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):6TSOP/-55~150
描述:2A,P沟道MOSFET
NTGS3443T1 PDF下载
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厂家:ON SEMICONDUCTOR Power MOSFET 2 Amps, 20 Volts
- 深圳市科圳电子热卖
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