NZT749
参数信息：
参数信息：
类别：分离式半导体产品
家庭：晶体管(BJT) - 单路
系列：-
晶体管类型：PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大）：4A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：25V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 100mA, 1A
电流 - 集电极截止（最大）：-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：80 @ 1A, 2V
类别：分离式半导体产品
家庭：晶体管(BJT) - 单路
系列：-
晶体管类型：PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大）：4A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：25V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 100mA, 1A
电流 - 集电极截止（最大）：-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：80 @ 1A, 2V
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