SI4914DY-T1E3 SI4914DY-T1 SI4914DY SI4914BDY-T1-E3 SI4914ADY-T1-E3 SI4914 SI4913DY-T1-E3 SI4913DY-T1 SI4913DY SI4913SI4916DY
您是否在找:SI4914DY-T1-...
参数信息:
参数信息:
类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFETs - 阵列
系列:-
FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:23 毫欧 @ 7A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:5.5A, 5.7A
Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 250µA

