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组织结构为1M×16;读、写操作电压2.7~3.6V;高可靠性,保证100000次读/写,数据保持100年; 低功耗操作,动态电流:9mA(典型值),待机电流:3μA(典型值),自动低功耗模式:3μA(典型值);128位唯一ID;ID安全特点:一次性可编程,256字;硬件启动块保护输入/WP#引脚,底部块保护(底部32K字);扇区擦除操作功能:均匀的2K字扇区;块擦除操作功能:均匀的32K字块;芯片擦除操作功能;擦除操作有暂停/恢复功能;硬件复位引脚(RST#);D安全特性:SST:128位,用户:128位; 快速读取时间:70ns或90ns;锁存地址和数据;快速擦除操作时间,扇区擦除操作时间:18ms(典型值),块擦除操作时间:18ms(典型值),芯片擦除操作时间:40ms(典型值);字编程时间:7μs(典型值);自动调节写操作时间;写操作完成监测:Toggle位,Data#轮询,RY/BY #输出;兼容CMOS I/O;符合JEDEC标准;所有无铅装置遵从RoHS标准
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厂家:SST [Silicon Storage Technology, Inc] 16 Mbit / 32 Mbit / 64 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash Plus
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