SI4410DY-TR SI4410DYTR SI4410DY-TI-REVA SI4410DY-TI-E3 SI4410DY-TI SI4410DY-T1-REVA SI4410DY-T1-REV SI4410DY-T1-E3 SI4410DY-T1-A-E3 SI4410DY-T1/REVSI4410DY-Y1
您是否在找:标准包装:4,000
类别:分离式半导体产品
家庭:FET-单路
系列:HEXFET®
FET型:MOSFETN通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
开态Rds(最大)@Id,Vgs@25°C:13.5毫欧@10A,10V
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流-连续漏极(Id)@25°C:10A


