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K8D3216UTC-TI07

更新时间:2024-04-20 01:53:12
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  • 其它信息：

    单电压：Vcc＝2.7～3.6V（读/写操作电压）； 结构：4194304×8位/2097152×16位（字模式）； 快速读存取时间：70ns； 编程/擦除操作时读； 双Bank体系结构：Bank1/Bank2：8M位/24M位； 安全码块：额外的64KB块； 功率消耗（典型值5MHz时）：读电流：14mA,编程/擦除电流：15mA,编程时读或擦除时读电流：25mA,待机模式/自动睡眠模式：5μA； WP/ACC输人引脚：在V/IL时允许2个最外层的启动区特殊保护,与块保护状态无关；在V/IH时删除2个最外层的启动区特殊保护,2个块恢复正常块保护状态； 在VHH时编程时间：9μs/字； 擦除暂停/恢复； 解锁旁路编程； 硬件RESET引脚； 控制存储器操作； 块组保护/非保护； 支持通用的Flash存储器接口； 工业级温度：－40～85℃； 100000次编程/擦除周期,10年的数据保留时间； 封装：48引脚的TSOP和FBGA封装； 存取时间：70ns； 商业级温度：－40～85℃

  • 引脚图：

    K8D3216UTC-TI07引脚图

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