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K8P3215UQB-DI4B

更新时间:2024-04-11 12:07:46
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    单电压:Vcc=2.7~3,6V(读/写操作电压); 结构:2M×16位(字模式); 快速读存取时间:55ns; 页模式操作:8字页存取允许快速异步读,页读存取时间:20ns; 编程/擦除操作时读; 多Bank体系结构(4banks):Bank0:4M位(4K字×8和32K字×7),Bank1:12M位(32K字×24),Bank2:12M位(32K字×24),Bank3:4M位(4K字×8和32K字×7);OTP块:额外256字:出厂的128字和用户OTP的128字;功率消耗(典型值):读电流:45mA、10MHz,编程/擦除电流:17mA,编程时读或擦除时读电流:35mA,待机模式/自动睡眠模式:15μA; 支持单、4字快速编程; WP/ACC输人引脚:在VlL时允许2个最外层的启动区特殊保护,与块保护状态无关; 在YIH时删除2个最外层的启动区特殊保护,2个块恢复下常块保护状态,快涑4字长字编程时间:1.5μs; 擦除暂停/恢复; 编程暂停/恢复; 解锁旁路编程; 硬件RESET引脚; 控制存储器操作; 块保护/非保护; 支持通用的Flash存储器接口; 工作温度范围:工业级温度:-40~85℃,扩展温度:-25~85℃,商业级温度:0~70℃; 100000次编程/擦除周期,10年的数据保留时间; 封装:48引脚的TSOP和FBGA封装,64引脚的FBGA封装;工作温度范围:工业级温度-40~85℃; 存取时间:60ns/25ns

  • 引脚图:

    K8P3215UQB-DI4B引脚图

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