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电源电压:VCC=2.7~5.5V;结构:存储器单元阵列:(4M+128K)×8位,数据存储器:(512+16)×8位;自动编程和擦除:页编程:(512十16)字节,块擦除:(8K+256)字节,状态存储器;528字节页读操作:随机存取:10μs(最大值),串行页访问:50ns(最小值); 快速写周期时间:编程时间:250μs(典型值),块擦除时间:2ms(典型值);指令/地址/数据复用I/O端口;硬件数据保护:在电源转换过程中编程/擦除锁定;可靠的CMOS准浮栅技术,1M次编程/擦除周期,10年的数据保留时间;指令存储器操作;封装:40引脚的TSOP封装;工作温度:-10~+125℃
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