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K9F4008W0A

更新时间:2024-04-14 16:26:00
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K9F4008W0A 相关资料

  • 其它信息：

    电源电庄：VCC＝3.0～5.5V；结构：存储器单元阵列：512K×8位，数据存储器：32×8位；自动编程和擦除(典型值)：帧编程：在500μs时为32字节，块擦除：在6ms时为4KB；32字节帧读操作：随机存取：15μs(最大值)，串行帧访问：120ns(最小值)；指令/地址/数据复用I/O端口；低操作电流(典型值)：待机电流：10μA，读/编程/擦除电流：10mA；CMOS准浮栅技术，100k次编程/擦除周期；指令存储器操作；封装：40引脚的TSOP封装

  • 引脚图：

    K9F4008W0A引脚图

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K9F4008W0A PDF下载
  • 大小：319.25KB
  • 厂家：SAMSUNG [Samsung semiconductor]
  • 描述：512K x 8 bit NAND Flash Memory
K9F4008W0A 相关信息
  • Coo1Runner-Ⅱ器件实现功能描述系统图
    ...度非易失性存储器，被广泛地应用于MP3、MP4、PMP及数码相机等产品中。本设计用一片XC2C32A CoolRunner-II CPLD实现NAND Flash接口，可以与AMDUltraNAND Flash(AM30LV0064D)及Samsung Nand Flash(K9F4008W0A)接口。本设计以AM30LV0064D为例进行讲解，K9F4008W0A接口的设计与其类似，不再赘述。系统框图如图所示。 如图 系统框图CPLD读取系统低4位地址，译码产生Flash接口命令，与Flash接口...
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