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K9K2G08U0M-VIB0

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  • 其它信息:

    电源电压:Vcc=2.7~3.6V; 结构:存储器单元阵列:(256M十8192K)X8位﹐数据存储器:(2K+64)X8位﹐缓存存储器:(2K+64)X8位; 自动编程和擦除:页编程:(2K+64)字节﹐块擦除:(128K+4K)字节; 页读操作:页大小:2KB﹐随机存取:25μs(最大值)﹐串行访问:30ns(最小值);  快速写周期时间:编程时间:200μs(典型值)﹐块擦除时间:2ms(典型值);  指令/地址/数据复用I/O端口;硬件数据保护:在电源转换过程中编程/擦除锁定;  可靠的CMOS准浮栅技术﹐100k次编程/擦除周期﹐10年的数据保留时间;指令存储器操作;上电自读操作;封装:48引脚的TSOP封装; 工作温度:-40~+125℃

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