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MJD45H11

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更新时间:2024-04-25 05:38:51
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  • MJD45H11T4G

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MJD45H11 相关资料

  • 其它信息：

    电流参数：IC=-8A/ICP=-16A
    电压参数：UCEO=-80V/UEBO=-5V
    功   率：PC=1.75W
    其他参数：fT=40MHz
    极   性：PNP

MJD45H11的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

MJD45H11外观图

  • 制造商：ON Semiconductor
  • 产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性：PNP
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：80 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
  • 最大直流电集电极电流：8 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min：60 at 2 A at 1 V
  • 配置：Single
  • 最大工作频率：90 MHz
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：TO-252-3 (DPAK)
  • 封装：Tube
  • 集电极连续电流：8 A
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：20 W
  • 工厂包装数量：75
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