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MMBTA06

更新时间:2024-04-22 16:49:44
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  • MMBTA06G-AE3-R

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MMBTA06 相关资料

  • 其它信息：

    电流参数：IC=500mA
    电压参数：UCBO=80V/UCEO=80V/UEBO=4V
    功   率：PD=350mW
    其他参数：fT=100MHz
    极   性：NPN
    备  注：对管，MMBTA56

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MMBTA06外观图

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  • 厂家：
  • 描述：0.079 (2.0) 0.037 (0.95) 0.035 (0.9) 0.031 (0.8) 0.037 (0.95) Maximum Ratings and Thermal Characteristics (TA = 25°C unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO 80 V Collector-Emitter Voltage VCEO 80 V Emitter-Base Voltage VEBO 4.0 V Collector Current IC 500 mA Power Dissipation at TSB = 50 ?C Ptot 255 1) mW 300 2) Thermal Resistance Junction to Ambiant Air Rq JA 560 1) °C/W Junction Temperature Tj 150 °C Storage Temperature Range TS -65 to +150 °C Note: (1) Device on fiberglass substrate, see layout on third page. (2) Device on alumina substrate. MMBTA06 Small Signal Transistors (NPN) 12/13/99 Dimensions in inches and (millimeters) .016 (0.4) .056 (1.43) .037(0.95) .037(0.95) max. .004 (0.1) .122 (3.1) .016 (0.4) .016 (0.4) 1 2 3 Top View .102 (2.6) .007 (0.175) .045 (1.15) .110 (2.8) .052 (1.33) .005 (0.125) .094 (2.4) .037 (0.95) Features ? NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications. ? As complementary typ
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路
  • 系列：-
  • 晶体管类型：NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：500mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：80V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 10mA，100mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）：100nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：100 @ 100mA，1V
  • 功率 - 最大：350mW
  • 频率 - 转换：100MHz
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：SOT-23
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：MMBTA06FSTR
MMBTA06 相关信息
  • 高效转换的同步回扫电路
    ...电路在几种已评估过的技术中似乎是最有希望的，因为其效率和成本优于降压型稳压器和异步回扫电路。 图1，这种同步回扫电路具有很高的效率以及多种输入电压/输出电压比。LM2743控制器启动之后，从MMBTA06晶体管和6.2V齐纳二极管以及从一个自举线圈获得功率。其EN（启动）输入端是一个提供UVL（低压切断）的比较器，用来防止在28V以下启动。控制器驱动一个损耗比肖特基二极管还低的同步开关...
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